公开(公告)号：CN86106409A

公开(公告)日：1987-05-20

申请号：CN86106409

申请日：1986-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木邦夫 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  阿部雅芳 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真一 ,  永山进 ,  小柳薰

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L25/02

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

Abstract: 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。

公开(公告)号：CN1003481B

公开(公告)日：1989-03-01

申请号：CN86106409

申请日：1986-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木邦夫 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  阿部雅芳 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真人 ,  永山進 ,  小柳薰

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L25/02

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

Abstract: 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。

公开(公告)号：CN87102718A

公开(公告)日：1987-10-28

申请号：CN87102718

申请日：1987-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木邦夫 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  阿部雅芳 ,  小林一平 ,  薄田真人 ,  柴田克彦 ,  永山进 ,  小柳薰

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

Abstract: 本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。

公开(公告)号：CN87100588A

公开(公告)日：1987-08-19

申请号：CN87100588

申请日：1987-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木邦夫 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真人 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  永山进 ,  阿部雅芳 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理，从而可在高生产率下生产光电转换器件。在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之，然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后，即使在8伏特的反向电压下，其反向电流也不会再超过15毫安培。

公开(公告)号：CN87102718B

公开(公告)日：1988-08-31

申请号：CN87102718

申请日：1987-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木邦夫 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  阿部雅芳 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真人 ,  永山进 ,  小柳薰

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

Abstract: 本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构。即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。

公开(公告)号：CN1008580B

公开(公告)日：1990-06-27

申请号：CN87100588

申请日：1987-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木邦夫 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真人 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  永山进 ,  阿部雅芳 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理，从而可在高生产率下生产光电转换器件，在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之，然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后，即使在8伏特的反向电压下，其反向电流也不会再超过15毫安培。