公开(公告)号：CN86106409A

公开(公告)日：1987-05-20

申请号：CN86106409

申请日：1986-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木邦夫 ,  金花美树雄 ,  深田武 ,  阿部雅芳 ,  小林一平 ,  柴田克彦 ,  薄田真一 ,  永山进 ,  小柳薰

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L25/02

CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

Abstract: 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。