公开(公告)号：CN103238380B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180057934.3

申请日：2011-12-02

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 高桥直人 ,  山本泰幸 ,  潮田会美

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/24 ,  H05K3/26

CPC classification number: H05K3/06 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/108 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0341 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供可采用更简便的方法形成精细图案的金属化基板的制造方法、采用该方法制造的金属化基板、以及该方法中使用的金属糊剂组合物。制成如下金属化基板（100），该金属化基板（100）具备：氮化物陶瓷烧结体基板（10）；该烧结体基板（10）上形成的氮化钛层（20）；该氮化钛层（20）上形成的含铜及钛的密合层（30）；该密合层（30）上形成的铜镀覆层（40），密合层（30）的厚度为0.1μm以上且5μm以下。

公开(公告)号：CN102858093B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210226694.1

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 潮田会美 ,  今井彻郎

IPC: H05K3/18 ,  C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23F1/00 ,  C23F1/14

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1844 ,  C23C22/52 ,  C23C22/63 ,  C23G1/20 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/1291 ,  H05K3/246 ,  H05K2203/0796

Abstract: 本发明涉及配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法及银蚀刻液。一种具有导电图案的配线基板的镀覆方法，该图案在外表面露出至少含有银和铜的金属层，该方法可抑制导电图案以外的部分的镀覆析出、且可在导电图案的表面形成良好的镀层，具有：将配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；将经过(A)工序的配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理由此从导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；将经过(B)工序的配线基板用第3处理液处理由此从导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解氧化银(I)的速度为在25℃下溶解铜(0)的速度的1000倍以上；在经过(C)工序的配线基板的导电图案上施行化学镀的(D)工序。

公开(公告)号：CN102858093A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210226694.1

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 潮田会美 ,  今井彻郎

IPC: H05K3/18 ,  C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23F1/00 ,  C23F1/14

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1844 ,  C23C22/52 ,  C23C22/63 ,  C23G1/20 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/1291 ,  H05K3/246 ,  H05K2203/0796

Abstract: 本发明涉及配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法及银蚀刻液。一种具有导电图案的配线基板的镀覆方法，该图案在外表面露出至少含有银和铜的金属层，该方法可抑制导电图案以外的部分的镀覆析出、且可在导电图案的表面形成良好的镀层，具有：将配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；将经过(A)工序的配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理由此从导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；将经过(B)工序的配线基板用第3处理液处理由此从导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解氧化银(I)的速度为在25℃下溶解铜(0)的速度的1000倍以上；在经过(C)工序的配线基板的导电图案上施行化学镀的(D)工序。

公开(公告)号：CN116709922A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180086512.2

申请日：2021-12-16

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 近藤仁志 ,  乾洋治 ,  潮田会美 ,  安藤昭洋

IPC: A01N59/00 ,  A01P1/00

Abstract: 根据本发明，提供保存稳定性高的次氯酸水，其中，每100ppm有效氯浓度的钠离子的离子浓度为20ppm以下，并且，硅化合物的含量以硅换算计为20ppb以下。

公开(公告)号：CN103238380A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057934.3

申请日：2011-12-02

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 高桥直人 ,  山本泰幸 ,  潮田会美

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/24 ,  H05K3/26

CPC classification number: H05K3/06 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/108 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0341 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供可采用更简便的方法形成精细图案的金属化基板的制造方法、采用该方法制造的金属化基板、以及该方法中使用的金属糊剂组合物。制成如下金属化基板（100），该金属化基板（100）具备：氮化物陶瓷烧结体基板（10）；该烧结体基板（10）上形成的氮化钛层（20）；该氮化钛层（20）上形成的含铜及钛的密合层（30）；该密合层（30）上形成的铜镀覆层（40），密合层（30）的厚度为0.1μm以上且5μm以下。