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公开(公告)号：CN111095486B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880059923.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN114342048A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061195.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/027 , B08B3/08 , B08B3/10
Abstract: 保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。
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公开(公告)号：CN107871688A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710844624.5
申请日：2017-09-19
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67109 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67207 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/67023 , H01L21/67051
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：烘烤腔室，在其内部对基板进行加热处理，并且在规定方向上层叠有多个；处理单元，其具有与所述烘烤腔室不同的液体处理腔室，并且用处理液对基板进行液体处理；包围隔离空间，其用于包围所述多个烘烤腔室的侧方，并且将所述烘烤腔室与所述烘烤腔室的周围隔离。
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公开(公告)号：CN109478500B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201780045855.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：支撑构件、罩部、供气单元、及排气单元。供气单元从基板的上表面与顶面间的空间的周围向该空间供给从供气口喷出的气体。排气单元经由在顶面在与基板的上表面中心部相向的位置开口的排气口排出基板的上表面与顶面之间的气体。基板的上表面与顶面在基板的上表面中心部的间隔，窄于基板的上表面与顶面在基板的上表面外周部的间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110366769A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880013272.1
申请日：2018-02-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 用以从基板的表面去除抗蚀剂的基板处理方法包括：支撑步骤，使支撑构件将所述基板支撑为水平；混合气体供给步骤(T4)，将水蒸气与臭氧气体的混合气体供给至所述基板的表面附近；以及紫外线照射步骤(T6)，对供给至所述基板的表面附近的混合气体照射紫外线。
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公开(公告)号：CN119132930A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411267332.6
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , G03F7/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板配置在与加热板隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构，将基板配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板上的抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN108713239B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN201780014355.8
申请日：2017-02-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 宗德皓太
IPC: H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，用于从在表面上形成有具有硬化层的抗蚀剂的基板上去除该抗蚀剂，包括：基板保持工序，保持所述基板；以及抗蚀剂剥离工序，对用于混合多种流体生成液滴的多流体喷嘴，供给臭氧气体与过热水蒸气，并且使含有通过将臭氧气体与过热水蒸气混合而生成的臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体，从所述多流体喷嘴向所述基板的表面喷出，由此从所述基板的表面上剥离抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN114365264A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080060887.7
申请日：2020-08-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , B08B3/08 , B08B3/10
Abstract: 一种基板处理方法，具备：保持具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)的步骤；对晶圆(WF)的第2面(S2)供给混入了含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及在用以进行基板(WF)的处理的使用点对处理液进行加热的步骤。
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公开(公告)号：CN111095486A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059923.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。
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