公开(公告)号：CN102439195A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC: C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。

公开(公告)号：CN102439195B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC: C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。