公开(公告)号：CN102439195A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC: C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。

公开(公告)号：CN116417312A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111638914.7

申请日：2021-12-29

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  青山贵昭 ,  宫内充祐 ,  松本繁治 ,  斋藤大嗣

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J9/14

Abstract: 本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。

公开(公告)号：CN102439195B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC: C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。

公开(公告)号：CN216528739U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123375764.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  青山贵昭 ,  宫内充祐 ,  松本繁治 ,  斋藤大嗣

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J9/14

Abstract: 本申请实施例提供一种离子引出栅极以及离子源。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。