公开(公告)号：CN111584499A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010081137.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。

公开(公告)号：CN117334701A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311328162.3

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明涉及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，第一TFT中，覆盖氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于氧化物半导体，覆盖第一漏电极及第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于第一漏电极，源极布线(122)介由第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于第一源电极。

公开(公告)号：CN111584499B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010081137.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。

公开(公告)号：CN111554692B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010082372.9

申请日：2020-02-07

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉

IPC: H10D86/60 ,  H10D86/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。

公开(公告)号：CN111554692A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010082372.9

申请日：2020-02-07

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。

公开(公告)号：CN212569365U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202021144125.9

申请日：2020-06-19

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  小野寺凉 ,  花田明纮

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G01S17/89 ,  G01V8/10

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。