-
公开(公告)号：CN1430272A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02159388.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/48 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K3/244 , H05K3/4602 , H01L2924/00
Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温－150度，接合负荷：1/2S＊100MPa－S＊180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50－500ms，可实现上述结构。
-
公开(公告)号：CN100555627C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710104919.5
申请日：2007-05-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/02 , H01L23/34
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L24/33 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K2201/0715 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在模块温度为175℃～250℃的高温的情况下，存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中，如果为确保冷却性能而提高按压力，则存在设备因应力而损伤的问题。因而本发明目的在于提供即使功率半导体模块的使用温度在175℃～250℃的高温的情况下，设备或接合部不发生机械性损伤，且高温保持可靠性和温度循环可靠性优良的功率半导体模块及变换器装置。在设备的上下配置低热膨胀的陶瓷衬底，且在陶瓷衬底间配置热膨胀率为10ppm/K以下的部件。进而，在设备的周围配置热膨胀率为2～8ppm/K的无机部件。
-
公开(公告)号：CN102529224B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110389433.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C23C16/56 , C22F1/10 , C22F1/165 , H01L21/56 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L23/3735 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , Y10T428/12458 , Y10T428/12472 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供具有优异粘接强度的金属树脂复合结构体及其制造方法、以及母线、模块壳体及树脂制连接器零件。具体是将包含熔点为500℃以上的高熔点金属的金属部件(1)和树脂部件(2)一体化而成的金属树脂复合结构体(10)，其特征在于，在金属部件(1)和树脂部件(2)之间，设有包含具有熔点不足500℃的低熔点金属的合金层(3)，在合金层(3)和树脂部件(2)的接合面，合金层(3)的平均表面粗糙度为5nm以上、不足1μm，在合金层(3)的接合面所形成的凹凸的凹凸周期为5nm以上、不足1μm。
-
公开(公告)号：CN102529224A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110389433.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C23C16/56 , C22F1/10 , C22F1/165 , H01L21/56 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L23/3735 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , Y10T428/12458 , Y10T428/12472 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供具有优异粘接强度的金属树脂复合结构体及其制造方法、以及母线、模块壳体及树脂制连接器零件。具体是将包含熔点为500℃以上的高熔点金属的金属部件(1)和树脂部件(2)一体化而成的金属树脂复合结构体(10)，其特征在于，在金属部件(1)和树脂部件(2)之间，设有包含具有熔点不足500℃的低熔点金属的合金层(3)，在合金层(3)和树脂部件(2)的接合面，合金层(3)的平均表面粗糙度为5nm以上、不足1μm，在合金层(3)的接合面所形成的凹凸的凹凸周期为5nm以上、不足1μm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1978122B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610164237.9
申请日：2006-12-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , H01L23/488
CPC classification number: C22C13/02 , B23K35/02 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/302 , H01L23/49513 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/376 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81097 , H01L2224/81805 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83097 , H01L2224/83203 , H01L2224/83211 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/20108 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , Y10T428/12528 , Y10T428/12708 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 提供一种使用了在大于等于280℃的耐热性、小于等于400℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Sn、Sb、Ag和Cu为主要构成元素、具有42wt％≤Sb/(Sn+Sb)≤48wt％、5wt％≤Ag＜20wt％、3wt％≤Cu＜10wt％且5wt％≤Ag+Cu≤25wt％的组成、剩下的部分由其它的不可避免的杂质元素构成的高温焊锡材料接合了半导体元件与金属电极构件。
-
公开(公告)号：CN101075606A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710104919.5
申请日：2007-05-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/02 , H01L23/34
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L24/33 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K2201/0715 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在模块温度为175℃～250℃的高温的情况下，存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中，如果为确保冷却性能而提高按压力，则存在设备因应力而损伤的问题。因而本发明目的在于提供即使功率半导体模块的使用温度在175℃～250℃的高温的情况下，设备或接合部不发生机械性损伤，且高温保持可靠性和温度循环可靠性优良的功率半导体模块及变换器装置。在设备的上下配置低热膨胀的陶瓷衬底，且在陶瓷衬底间配置热膨胀率为10ppm/K以下的部件。进而，在设备的周围配置热膨胀率为2～8ppm/K的无机部件。
-
公开(公告)号：CN100431142C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN02159388.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/48 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K3/244 , H05K3/4602 , H01L2924/00
Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温-150度，接合负荷：1/2S*100MPa-S*180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50-500ms，可实现上述结构。
-
公开(公告)号：CN1299518A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN98814031.4
申请日：1998-09-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/75 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/83051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 半导体芯片和有机基板在湿气含量减少的气氛中通过已进行清洁处理的金突点接合在一起。根据本发明,使用直径不大于300μm、高度不小于50μm和高度/直径比不低于1/5的金突点以足够高的强度将半导体芯片和有机基板接合在一起,由此减少了应变。
-
公开(公告)号：CN1978122A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164237.9
申请日：2006-12-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , H01L23/488
CPC classification number: C22C13/02 , B23K35/02 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/302 , H01L23/49513 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/376 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81097 , H01L2224/81805 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83097 , H01L2224/83203 , H01L2224/83211 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/20108 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , Y10T428/12528 , Y10T428/12708 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 提供一种使用了在大于等于280℃的耐热性、小于等于 400℃时的接合性、焊锡的供给性、润湿性、高温保持可靠性以及温度循环可靠性方面优良的高温无铅焊锡材料的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置由以Sn、Sb、Ag和Cu为主要构成元素、具有42wt％≤Sb/(Sn+Sb)≤48wt％、5wt％≤Ag＜20wt％、3wt％≤Cu＜ 10wt％且5wt％≤Ag+Cu≤25wt％的组成、剩下的部分由其它的不可避免的杂质元素构成的高温焊锡材料接合了半导体元件与金属电极构件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.039 seconds)
