公开(公告)号：CN102420339B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110260331.5

申请日：2011-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 阿部登志雄 ,  守田俊章

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/70 ,  H01M4/13 ,  H01M10/0587

CPC classification number: Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供一种通过缓和作用在电极上的应力来抑制电极的脱落或松弛且充放电循环引起的劣化少的高容量的锂二次电池。锂离子二次电池具备：卷绕组，其通过将正极和负极隔着隔板卷绕而形成，所述正极和负极能够可逆地吸藏放出锂离子；有机电解液，其溶解了含有所述锂离子的电解质，其中，所述负极通过将含有活性物质和粘合剂的合剂层涂敷到集电体而形成，所述集电体通过在铜箔的表面或背面中的至少一方设置具有内部应力的应力缓和层而构成。

公开(公告)号：CN102420339A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110260331.5

申请日：2011-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 阿部登志雄 ,  守田俊章

IPC: H01M10/0525 ,  H01M4/70 ,  H01M4/13 ,  H01M10/0587

CPC classification number: Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供一种通过缓和作用在电极上的应力来抑制电极的脱落或松弛且充放电循环引起的劣化少的高容量的锂二次电池。锂离子二次电池具备：卷绕组，其通过将正极和负极隔着隔板卷绕而形成，所述正极和负极能够可逆地吸藏放出锂离子；有机电解液，其溶解了含有所述锂离子的电解质，其中，所述负极通过将含有活性物质和粘合剂的合剂层涂敷到集电体而形成，所述集电体通过在铜箔的表面或背面中的至少一方设置具有内部应力的应力缓和层而构成。

公开(公告)号：CN101092005A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710111919.8

申请日：2007-06-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 保田雄亮 ,  守田俊章 ,  石井利昭

IPC: B23K35/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/22 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明的目的在于提供接合层的剪切强度、放热性优异，可片材成型的接合材料。本发明涉及使用了各向异性微粒的接合材料，其特征在于，含有表面被有机物或氧化物被覆的长径比大于2且长轴为100μm以下的金属纤维和表面被有机物或氧化物被覆的长径比为1.5以下且粒径为100nm以下的金属粒子，用于利用前述金属粒子的熔接而与被接合构件表面进行金属结合，从而将被接合构件间接合。

公开(公告)号：CN1921105A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610110998.6

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 东克典 ,  守田俊章 ,  宝藏寺裕之 ,  铃木和弘 ,  佐藤俊也 ,  大塚修

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K7/1432 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。

公开(公告)号：CN106536437B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201580034016.7

申请日：2015-09-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 内藤孝 ,  儿玉一宗 ,  青柳拓也 ,  菊池茂 ,  能川玄也 ,  森睦宏 ,  井出英一 ,  守田俊章 ,  绀野哲丰 ,  小野寺大刚 ,  三宅龙也 ,  宫内昭浩

IPC: C03C8/24 ,  C09J1/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。

公开(公告)号：CN1717156B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200410097882.4

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宝蔵寺裕之 ,  守田俊章 ,  佐佐木洋

IPC: H05K3/34 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/328 ,  H01L23/24 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/183 ,  H05K3/102 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1131 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供可实现缩小安装面积及薄形化的电子部件的安装方法、半导体模块及半导体器件。本发明的一个课题解决手段是将形成于基板上的电极和形成于电子部件上的电极进行接合的电子部件的安装方法，所述接合通过凝聚了至少一种金属粒子的金属层来进行接合。而且，所述金属粒子以平均粒径为1～50nm构成。另外，最好是构成其厚度为5～100μm的金属层。

公开(公告)号：CN100339986C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03120225.X

申请日：2003-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 中岛靖之 ,  守田俊章 ,  松泽朝夫 ,  友井晴一 ,  川邉直树

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1906840A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040907.5

申请日：2004-01-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 斋藤淳 ,  樋口胜弘 ,  大塚修 ,  西台秀和 ,  宝藏寺裕之 ,  守田俊章 ,  高桥可昌 ,  佐藤俊也

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H02M7/003 ,  H05K7/20927

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够延长装载部件的寿命的半导体装置。具有通过加热部(1)与散热器(2)控制冷却用制冷剂的温度而构成的冷却系统。半导体装置(100)与该冷却系统连接而被冷却。此处，由冷却系统的加热部(1)与散热器(2)控制的温度的变化范围(ΔT1)，比半导体装置(100)的工作状况的变化带给冷却介质的温度变化(ΔT2)大(ΔT1＞ΔT2)。

公开(公告)号：CN1430272A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02159388.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶原良一 ,  小泉正博 ,  筱田政佳 ,  成泽明彦 ,  西村朝雄 ,  守田俊章 ,  高桥和弥 ,  伊藤和利

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00

Abstract: 对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温－150度，接合负荷：1/2S＊100MPa－S＊180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50－500ms，可实现上述结构。

公开(公告)号：CN100508152C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710008189.9

申请日：2003-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 中岛靖之 ,  守田俊章 ,  松泽朝夫 ,  友井晴一 ,  川邉直树

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/53223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在半导体芯片区域上方形成第一金属膜；在所述第一金属膜之上形成绝缘膜，该绝缘膜在所述第一金属膜之上的焊盘部分具有开口；通过110kHz或更大的超声频率的超声波热压键合方法将由第二金属形成的球部分粘附到所述焊盘部分上。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。