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公开(公告)号:CN102445806B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201110303719.9
申请日:2011-09-29
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中,即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下,也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度,维持存储效果,并维持图像的对比度。形成有像素,该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度,需要减小隔壁(110)的宽度,但该情况下,从机械强度的要求出发,需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度,则隔壁电极的面积缩小,不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积,使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。
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公开(公告)号:CN102809812A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201210178442.6
申请日:2012-06-01
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G02B26/085 , B81B3/0072 , B81B2201/045 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中,使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中,具有包括第一基板和第二基板的显示面板,上述显示面板具有多个像素,上述各像素具有包含非晶硅的可动快门,和驱动上述可动快门的驱动电路,上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成,当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时,上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
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公开(公告)号:CN101526709B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200910126641.0
申请日:2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层,通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻,由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出,将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻,增加导通电流。由此,能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中,在poly-Si层之上形成沟道截断环层,使TFT的特性稳定。
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公开(公告)号:CN102445806A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110303719.9
申请日:2011-09-29
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中,即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下,也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度,维持存储效果,并维持图像的对比度。形成有像素,该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度,需要减小隔壁(110)的宽度,但该情况下,从机械强度的要求出发,需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度,则隔壁电极的面积缩小,不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积,使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。
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公开(公告)号:CN101526709A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910126641.0
申请日:2009-03-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层,通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻,由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出,将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻,增加导通电流。由此,能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中,在poly-Si层之上形成沟道截断环层,使TFT的特性稳定。
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