缺陷观察方法以及缺陷观察装置

    公开(公告)号:CN104870985B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201380066389.3

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 在未形成图案的阶段的制造工序或在摄像图像上不显示在下层形成的图案的制造工序中,用于解析缺陷的事例增加。然而,在这样的事例中,在图像上无法识别周期性图案的情况下,存在不能合成良好的参照图像,缺陷检测失败的问题。因此,求出在被检查图像中缺陷区域所占的比例即缺陷占有率,判定该缺陷占有率与阈值的大小,根据判定结果,决定是否生成由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。尤其在缺陷占有率低的情况下,采用由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。

    缺陷观察方法以及缺陷观察装置

    公开(公告)号:CN104903712B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201380069668.5

    申请日:2013-12-06

    Abstract: 本发明的目的在于,能够从观察对象样本中容易地提取能够标记为“缺陷”和“妨扰”(错误检测出制造公差等的部位)的缺陷候选,容易地调整与观察处理有关的参数。本发明的缺陷观察方法包括:根据来自检查装置的缺陷信息拍摄被检查对象物,得到缺陷图像和与该缺陷图像对应的参照图像的摄像步骤;使用根据在上述摄像步骤中拍摄所得的该缺陷图像和该参照图像得到的第一特征量分布、根据该参照图像得到的第二特征量分布,决定用于缺陷提取的第一参数的参数决定步骤;使用在上述参数决定步骤中决定的该第一参数进行观察的观察步骤。本发明能够应用于观察在半导体晶圆的制造中产生的缺陷的方法。

    缺陷观察方法以及缺陷观察装置

    公开(公告)号:CN104870985A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201380066389.3

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 在未形成图案的阶段的制造工序或在摄像图像上不显示在下层形成的图案的制造工序中,用于解析缺陷的事例增加。然而,在这样的事例中,在图像上无法识别周期性图案的情况下,存在不能合成良好的参照图像,缺陷检测失败的问题。因此,求出在被检查图像中缺陷区域所占的比例即缺陷占有率,判定该缺陷占有率与阈值的大小,根据判定结果,决定是否生成由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。尤其在缺陷占有率低的情况下,采用由具有被检查图像所包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素构成的图像作为所述参照图像。

Patent Agency Ranking