HfN膜の製造方法およびHfN膜
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020191463A

    公开(公告)日:2020-11-26

    申请号:JP2020126879

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 【課題】原料ガスと薄膜生成原料が反応チャンバーとで反応し、安定的な原料供給が可能であり、長期使用が可能であるHfN膜の製造方法及びHfN膜を提供する。 【解決手段】気化された原料ガスを、配管14を経由して供給されノズル表面に対向配置された被成膜基板Pへと噴射するシャワーノズル15を備える。シャワーノズルは、配管の導入口14aを中心として拡開する外壁15aと、外壁の拡開端部から立ち上がる周壁15cと、周壁の端部を覆うノズル表面15bとで構成した成膜装置を用いるHfN膜の製造方法であって、反応ガスを直接、反応チャンバーに供給するようにガス供給口16を設け、サセプタの上にウエハが搭載される。原料ガスTEMAHの流量が、0.2CCM、反応チャンバーの圧力4Torr、サセプタの温度が、250℃以上、270℃以下の範囲であり、反応ガスNH 3 の流量を、9.0CCM以上、15.0CCM以下の範囲とする。 【選択図】図8

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