気化器
    2.
    发明专利
    気化器 有权
    喷雾器

    公开(公告)号:JP2016195273A

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:JP2016135825

    申请日:2016-07-08

    CPC classification number: C23C16/4481 B01D1/00

    Abstract: 【課題】膜における、波紋、パーティクル、カーボン量を減少させることができ、しかも、所望の組成を有する膜を形成することができる原料供給可能で、必要以上の加熱を要することなく気化を十分に行うことが可能な、しかも、温度管理を容易とする気化器を提供する。 【解決手段】成膜用液体材料が分散しているキャリアガスが導入される気化器本体3と、該気化器本体3の内部に配置されたヒータ本体4とを備える気化器であって、ヒータ本体の導入部の形状が、円錐形状である。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种可以减少膜的波纹,颗粒和碳含量的蒸发器,并且可以提供能够形成具有所需组成的膜的原料,此外,其可以在不加热的情况下进行充分的蒸发 蒸发器包括:引入其中分散有成膜液体材料的载气的汽化器体3; 以及设置在蒸发器体3的内部的加热器本体4.加热器本体的导入部具有圆锥形状。图示:图1

    HfN膜の製造方法およびHfN膜
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020191463A

    公开(公告)日:2020-11-26

    申请号:JP2020126879

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 【課題】原料ガスと薄膜生成原料が反応チャンバーとで反応し、安定的な原料供給が可能であり、長期使用が可能であるHfN膜の製造方法及びHfN膜を提供する。 【解決手段】気化された原料ガスを、配管14を経由して供給されノズル表面に対向配置された被成膜基板Pへと噴射するシャワーノズル15を備える。シャワーノズルは、配管の導入口14aを中心として拡開する外壁15aと、外壁の拡開端部から立ち上がる周壁15cと、周壁の端部を覆うノズル表面15bとで構成した成膜装置を用いるHfN膜の製造方法であって、反応ガスを直接、反応チャンバーに供給するようにガス供給口16を設け、サセプタの上にウエハが搭載される。原料ガスTEMAHの流量が、0.2CCM、反応チャンバーの圧力4Torr、サセプタの温度が、250℃以上、270℃以下の範囲であり、反応ガスNH 3 の流量を、9.0CCM以上、15.0CCM以下の範囲とする。 【選択図】図8

Patent Agency Ranking