磁性膜成膜装置及磁性膜成膜方法

    公开(公告)号:CN108138312B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201780003366.6

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 成膜装置具备:靶材(31),包含磁性材料;搬送部(14),支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R),配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域;以及第一磁场形成部(20),相对于配置区域(R)位于靶材(31)的相反侧,对配置区域(R)在靶材(31)所在的一侧形成平行于摇动方向(Ds)的水平磁场(HM),并在摇动方向(Ds)的至少配置区域(R)的一端与另一端之间沿着摇动方向(Ds)使水平磁场(HM)摇动,摇动方向(Ds)是沿着基板(S)的一个方向。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN106715751B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201580038502.6

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 基板处理装置(10)具备:等离子生成部,其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子;冷却部(20),其隔着冷却空间(55)与基板相对,并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26);工艺气体供给部(30),其向冷却部(20)供给工艺气体;以及连通部(56),其连通冷却空间(55)和等离子生成空间,用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。

    成膜装置及成膜方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108138312A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201780003366.6

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 成膜装置具备:靶材(31),包含磁性材料;搬送部(14),支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R),配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域;以及第一磁场形成部(20),相对于配置区域(R)位于靶材(31)的相反侧,对配置区域(R)在靶材(31)所在的一侧形成平行于摇动方向(Ds)的水平磁场(HM),并在摇动方向(Ds)的至少配置区域(R)的一端与另一端之间沿着摇动方向(Ds)使水平磁场(HM)摇动,摇动方向(Ds)是沿着基板(S)的一个方向。

    基板处理装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107109618B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201680004832.8

    申请日:2016-06-08

    Abstract: 基板处理装置,具备:阳极单元(17),包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a),通过使气体穿过第一贯穿孔流动,从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a),从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。

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