公开(公告)号：CN103797153B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280044707.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松本博 ,  马文平 ,  新田纯一 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  坂本纯一

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/15 ,  C22C27/04

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/15 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo‑W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN103797153A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280044707.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松本博 ,  马文平 ,  新田纯一 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  坂本纯一

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/15 ,  C22C27/04

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F3/15 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo-W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN101063194B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200710100811.9

申请日：2007-04-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新田纯一 ,  伊藤隆治 ,  松本博 ,  伊藤学

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供溅射靶，其和与Au、Cu等的金属或者含有它们至少一种的合金构成的膜的密合性好、而且具有耐腐蚀性，可形成异常放电少的膜，同时可在大型基板上成膜，其特征在于，在为了在基板上形成Mo-Ti合金膜的溅射靶中，含有比50原子％高、60原子％以下的Ti，其余为Mo和不可避免的杂质，相对密度为98％以上。以及扩散接合了该溅射靶的2个以上的至少一边为1000mm以的接合型溅射靶以及接合型溅射靶的制作方法。

公开(公告)号：CN103930591A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280049766.8

申请日：2012-10-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 原田宣弘 ,  松本博 ,  新田纯一 ,  门胁丰 ,  赤松泰彦

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  C22C1/03 ,  C22C9/00 ,  C23C24/04

Abstract: 本发明提供一种将合金靶材或化合物靶材通过冷喷涂法能够制造稳定的靶组合件及其制造方法。本发明的一个实施方式的靶组合件的制造方法包含制作由金属元素构成的第1粉末和以所述金属元素为主要成分的合金或化合物形成的第2粉末的混合粉末，然后，以所述混合粉末为原料通过冷喷涂法在基体表面上形成由所述金属元素的合金或化合物形成的靶材层。由此，通过冷喷涂法能够制造稳定的合金靶材或化合物靶材。