公开(公告)号：CN100593836C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200680005033.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  横尾秀和 ,  荒木正真

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。

公开(公告)号：CN101120428A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005033.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  横尾秀和 ,  荒木正真

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。