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公开(公告)号：CN108140685A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055952.0
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池具备：基板，具有光入射的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面，由显现光电转换功能的第一导电型的晶体硅构成；和i型非晶Si层，被配设为覆盖所述基板的所述第二面。与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位以存在于所述非晶Si层的内部且一部分露出于所述非晶Si层的外表面侧的方式被配置为彼此分离。
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公开(公告)号：CN105765726A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064729.3
申请日：2014-12-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够实现元件的更微细化或高品质化的绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明的一个实施方式所涉及的绝缘栅双极晶体管的制造方法包括：准备用MCZ法制造的第1导电型半导体衬底。在上述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层(12)、第1导电型发射区(13)和栅极(14)。对上述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使上述半导体衬底薄化；在薄化后的上述第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层(15)。在上述半导体衬底的内部的、与集电层(15)相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于上述半导体衬底的第1导电型缓冲层(16)。
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公开(公告)号：CN108140684A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055920.0
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池的制造方法，使用具有非受光面、且由第一导电型的晶体硅构成的基板，以覆盖所述基板的所述非受光面的方式，形成i型非晶Si层，对于所述非晶Si层，通过使用了掩模的杂质导入法，将与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位形成在彼此分离的位置，对导入杂质后的所述非晶Si层实施退火处理。形成所述第一部位及所述第二部位的工序包括：第一步，形成所述第一部位的指状部；第二步，形成所述第一部位的汇流条部；第三步，形成所述第二部位的指状部；及第四步，形成所述第二部位的汇流条部。
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公开(公告)号：CN103907208A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280054056.4
申请日：2012-10-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L22/20 , H01L31/022441 , H01L31/042 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 太阳能电池的制造方法具有：第一中心对准工序(S10)，设定基板中心位置作为相对于杂质注入工序(S20)的处理的基准位置；以及第二中心对准工序(S30)，设定基板中心位置作为相对于电极形成工序(S40)的处理的基准位置。
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公开(公告)号：CN107710399A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201780002185.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 本发明的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101120428A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680005033.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01L21/265
Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。
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公开(公告)号：CN112640082B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980056824.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种抑制气体体积的急剧增加、稳定地支承基板的静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。静电吸盘具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面。在吸盘板中设置有排气通路，在第一面支承基板时，在基板与第一面之间，所述排气通路将从基板排放的气体从基板与第一面之间排出。
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公开(公告)号：CN100593836C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200680005033.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01L21/265
Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。
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公开(公告)号：CN101385113A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005621.7
申请日：2007-02-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/05 , H01J2237/083 , H01J2237/31703
Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置，以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置，从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B)，利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B)，利用扫描器(16)来扫描离子(B)，利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化，注入到基板(20)，由此来制造单晶膜，其中，在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下，若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形，并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致，则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形，并且在两个面上变得完全平行。
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公开(公告)号：CN107710399B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201780002185.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
Abstract: 本发明的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。
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