公开(公告)号：CN101680714A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019864.0

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  中村久三 ,  伊藤胜彦 ,  花本隆史 ,  伊藤薰树

IPC: F26B5/06 ,  F26B17/10

CPC classification number: F26B5/065

Abstract: 本发明提供可快速干燥的冷冻真空干燥装置。使配置在干燥室11内的干燥用冷阱21达到-70℃以下的低温，以冷冻颗粒7不熔融的程度向传送带16上的冷冻颗粒7供给热。从冷冻颗粒7中气化的液体成分量增加，入射到冷冻颗粒7中的液体成分量减少，因此冷冻颗粒7的干燥时间缩短。

公开(公告)号：CN100593836C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200680005033.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  横尾秀和 ,  荒木正真

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。

公开(公告)号：CN101385113A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005621.7

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  福井了太 ,  横尾秀和 ,  西桥勉

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31703

Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置，以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置，从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B)，利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B)，利用扫描器(16)来扫描离子(B)，利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化，注入到基板(20)，由此来制造单晶膜，其中，在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下，若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形，并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致，则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形，并且在两个面上变得完全平行。

公开(公告)号：CN1961400A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580009834.8

申请日：2005-11-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  樱田勇藏 ,  关口雅行 ,  西桥勉

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。

公开(公告)号：CN101680714B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880019864.0

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  中村久三 ,  伊藤胜彦 ,  花本隆史 ,  伊藤薰树

IPC: F26B5/06 ,  F26B17/10

CPC classification number: F26B5/065

Abstract: 本发明提供可快速干燥的冷冻真空干燥装置。使配置在干燥室11内的干燥用冷阱21达到-70℃以下的低温，以冷冻颗粒7不熔融的程度向传送带16上的冷冻颗粒7供给热。从冷冻颗粒7中气化的液体成分量增加，入射到冷冻颗粒7中的液体成分量减少，因此冷冻颗粒7的干燥时间缩短。

公开(公告)号：CN100589225C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200580009834.8

申请日：2005-11-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  樱田勇藏 ,  关口雅行 ,  西桥勉

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。

公开(公告)号：CN101120428A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005033.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  横尾秀和 ,  荒木正真

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明以短时间内求出离子注入装置的工作条件为技术课题。本发明提供了一种离子注入装置的控制方法，所述离子注入装置将从离子源(12)引出的离子束通过光学元件照射到被处理材料(W)上，该方法包括：测定步骤，测定所述被处理材料(W)附近的离子束的空间分布；估计步骤，根据测定的所述空间分布，通过离子束的轨道计算方法估计发射度，所述发射度为所述离子源处离子束的空间分布和角分布；计算步骤，利用估计的所述发射度和所述轨道计算方法，计算使所述被处理材料附近的离子束呈现所期望的空间分布的所述光学元件的工作条件；运转步骤，采用计算出的所述光学元件的工作条件运转所述离子注入装置。