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1.

发明公开
溅射装置无效

公开(公告)号：CN112663003A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011077274.2

申请日：2020-10-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 原田学 , 荒谷卓磨 , 藤长彻志 , 细田郁雄 , 合使由贵 , 池田进 , 岩井治宪

IPC: C23C14/34 , C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种溅射装置，其设置为在通过靶的溅射形成介电膜时，可长时间有效抑制阳极消失。溅射装置(SM)包括配置有靶(2)的真空室(1)以及向靶施加给定电力的溅射电源(Ps)，通过向靶施加电力在真空室内形成等离子体气氛，并对靶进行溅射，从而在位于真空室内的基板(Sw)表面上形成介电膜；在对靶进行溅射时，围绕靶的周围设置作为阳极发挥作用的环形部件(3)；环形部件配置为其上表面(30)比靶的溅射面(2a)更靠下方，并且环形部件上设置有悬浮电位的防护板(6)，其设置在靶的周围且局部覆盖环形部件的上表面，环形部件还包括正电位保持装置，其将环形部件保持为正电位。

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