公开(公告)号：CN117642848A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280047411.9

申请日：2022-09-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长彻志 ,  沼田幸展 ,  大久保裕夫 ,  岛田大生

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/31 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供一种带有台架的真空处理装置，在所述台架上被处理基板能够不发生位置偏移地错开其相位。所述真空处理装置具备设置有被处理基板(Sw)的台架(4)；还具备升降旋转机构(Rm)，其将台架上的被处理基板从台架上表面抬起到规定高度位置，可在这个抬起位置处使被处理基板绕其基板中心以规定的旋转角旋转，升降旋转机构具有：组装在台架内上下移动自如及旋转自如的驱动杆(5)；以及基板支撑体(6)，其包括能够与包含基板中心的被处理基板的中央区域抵接的基端板部(61)和从基端板部向其外侧延伸并能与被处理基板的沿径向的部分抵接的至少2个臂板部(62)；基板支撑体平时没入台架内，被处理基板由通过驱动杆的上移而被抬起的基端板部和臂板部支撑。

公开(公告)号：CN117587368A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310913378.X

申请日：2023-07-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 早坂辽一路 ,  藤长彻志 ,  竹内将人 ,  沼田幸展 ,  半那拓

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1)，具备运输单元(7)，其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(Sg)。在所述靶的X轴方向前后，分别竖立设置沿Z轴方向延伸的限制板(6a，6b)，其具有与该靶的Y轴方向长度是相等以上的宽度，与成膜面(Sg1)所成角度为规定值以下倾斜入射的溅射粒子向基板的附着被限制板限制。

公开(公告)号：CN112663003A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011077274.2

申请日：2020-10-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 原田学 ,  荒谷卓磨 ,  藤长彻志 ,  细田郁雄 ,  合使由贵 ,  池田进 ,  岩井治宪

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种溅射装置，其设置为在通过靶的溅射形成介电膜时，可长时间有效抑制阳极消失。溅射装置(SM)包括配置有靶(2)的真空室(1)以及向靶施加给定电力的溅射电源(Ps)，通过向靶施加电力在真空室内形成等离子体气氛，并对靶进行溅射，从而在位于真空室内的基板(Sw)表面上形成介电膜；在对靶进行溅射时，围绕靶的周围设置作为阳极发挥作用的环形部件(3)；环形部件配置为其上表面(30)比靶的溅射面(2a)更靠下方，并且环形部件上设置有悬浮电位的防护板(6)，其设置在靶的周围且局部覆盖环形部件的上表面，环形部件还包括正电位保持装置，其将环形部件保持为正电位。

公开(公告)号：CN101687389A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022450.3

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社爱发科 ,  宇部兴宇株式会社

Inventor： 藤长彻志 ,  高木牧子 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  大山隆治

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/345 ,  Y10T428/269

Abstract: 本发明的树脂基底具有树脂层和形成在所述树脂层的表面上的表面层，其中所述表面层是包含作为主要组分的氮化硅并且是通过化学气相沉积法而沉积的层，并且在所述树脂层和所述表面层之间的界面上，其上百分比从80％改变为20％的界面区域具有不大于25nm的厚度，其中在所述表面层中的最大氮浓度和在树脂层中的稳态氮浓度之间的差被当作100％。表面层的平均表面粗糙度(Ra)为不大于1nm。树脂基底具有水蒸汽阻隔和表面平坦性的性质。