-
公开(公告)号:CN1933157B
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200610115085.3
申请日:2006-08-23
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L28/20 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件,尽管存在虚拟有源区域,但是其仍使得不再需要较大的芯片面积并且改善了半导体衬底的表面平坦度。在制造这种半导体器件的工艺中,在作为有源区域的n型埋层上方形成用于高电压MISFET的厚栅绝缘膜,并且在该栅绝缘膜上方形成内部电路的电阻元件IR。由于该厚栅绝缘膜位于n型埋层与电阻元件IR之间,因此减小了在衬底(n型埋层)与电阻元件IR之间产生的耦合电容。
-
-
-
公开(公告)号:CN1933157A
公开(公告)日:2007-03-21
申请号:CN200610115085.3
申请日:2006-08-23
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L28/20 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件,尽管存在虚拟有源区域,但是其仍使得不再需要较大的芯片面积并且改善了半导体衬底的表面平坦度。在制造这种半导体器件的工艺中,在作为有源区域的n型埋层上方形成用于高电压MISFET的厚栅绝缘膜,并且在该栅绝缘膜上方形成内部电路的电阻元件IR。由于该厚栅绝缘膜位于n型埋层与电阻元件IR之间,因此减小了在衬底(n型埋层)与电阻元件IR之间产生的耦合电容。
-
公开(公告)号:CN1559065A
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN01823821.1
申请日:2001-12-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/13306 , G09G3/3696 , G09G2300/0408 , G09G2310/0289
Abstract: 一种显示单元的显示驱动控制系统,在通过高电压工艺制造的电源IC上设置一个电压电平移位电路,代替具有通过低电压精细布线工艺制造的大容量显示存储器的源极驱动器IC。这使得可以降低制造源极驱动器IC的成本并减小芯片的面积,使得整个IC芯片的成本降低。
-
-
-
-