公开(公告)号：CN1976036B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200610172953.1

申请日：2006-10-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坪井信生 ,  五十岚元繁

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。

公开(公告)号：CN101859774A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010206130.2

申请日：2006-10-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坪井信生 ,  五十岚元繁

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。

公开(公告)号：CN1976036A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610172953.1

申请日：2006-10-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坪井信生 ,  五十岚元繁

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。

公开(公告)号：CN101127356A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710139104.0

申请日：2007-07-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 五十岚元繁 ,  坪井信生 ,  岩崎敏文 ,  新居浩二 ,  塚本康正

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L27/11 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其能够抑制与微制造相关联的晶体管特性差异的增加。在本发明的存储单元中，关于存取晶体管和驱动晶体管的沟道宽度的关系，使存取晶体管的沟道宽度制得比驱动晶体管的沟道宽度更大。也就是，由于与以最小设计尺寸设计的驱动晶体管相比，存取晶体管能够使沟道面积增大，因此可以抑制存取晶体管特性差异的增加。