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公开(公告)号：CN101127356A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710139104.0
申请日：2007-07-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/1104 , G11C11/412 , H01L27/11 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其能够抑制与微制造相关联的晶体管特性差异的增加。在本发明的存储单元中，关于存取晶体管和驱动晶体管的沟道宽度的关系，使存取晶体管的沟道宽度制得比驱动晶体管的沟道宽度更大。也就是，由于与以最小设计尺寸设计的驱动晶体管相比，存取晶体管能够使沟道面积增大，因此可以抑制存取晶体管特性差异的增加。
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