公开(公告)号：CN100456452C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510077445.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坂井健志 ,  石井泰之 ,  冈崎勉 ,  中道胜 ,  松井俊一 ,  新田恭也 ,  町田悟 ,  中川宗克 ,  塚田祐一

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11573

Abstract: 本发明能够增强具有MONOS型晶体管的非易失性半导体存储器件的高性能。具有改进性能的该具有MONOS型晶体管的非易失性半导体存储器件，其中，MONOS型非易失性存储器的存储单元包括控制晶体管和存储晶体管，控制晶体管的控制栅包括n型多晶硅膜并且该控制栅形成在包括氧化硅膜的栅绝缘膜上方，存储晶体管的存储栅包括n型多晶硅膜并且该存储栅布置到控制栅的侧壁之一，该存储栅包括掺杂的多晶硅膜，其薄层电阻比控制栅的薄层电阻低，该控制栅包括通过将杂质离子植入到未掺杂硅膜中而形成的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1716572A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510077445.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 坂井健志 ,  石井泰之 ,  冈崎勉 ,  中道胜 ,  松井俊一 ,  新田恭也 ,  町田悟 ,  中川宗克 ,  塚田祐一

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11573

Abstract: 本发明能够增强具有MONOS型晶体管的非易失性半导体存储器件的高性能。具有改进性能的该具有MONOS型晶体管的非易失性半导体存储器件，其中，MONOS型非易失性存储器的存储单元包括控制晶体管和存储晶体管，控制晶体管的控制栅包括n型多晶硅膜并且该控制栅形成在包括氧化硅膜的栅绝缘膜上方，存储晶体管的存储栅包括n型多晶硅膜并且该存储栅布置到控制栅的侧壁之一，该存储栅包括掺杂的多晶硅膜，其薄层电阻比控制栅的薄层电阻低，该控制栅包括通过将杂质离子植入到未掺杂硅膜中而形成的多晶硅膜。