公开(公告)号：CN1630943A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN03803623.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 本间博 ,  小田岛均 ,  宫崎忠一 ,  和田隆 ,  大录范行 ,  三田彻

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327

Abstract: 为了提高用于叠式闪存等的薄型半导体器件的可靠性和产量，半导体器件的制造如下所述：使用上冲夹具，利用粘合片从背面将通过切割粘合片上的半导体晶片得到的每个半导体芯片(半导体器件)向上推，其中超声波振动应用到上冲夹具上，从而不会破坏粘合片，以及拾取每个半导体芯片。

公开(公告)号：CN100334706C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03803623.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 本间博 ,  小田岛均 ,  宫崎忠一 ,  和田隆 ,  大录范行 ,  三田彻

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

Abstract: 为了提高用于叠式闪存等的薄型半导体器件的可靠性和产量，半导体器件的制造如下所述：使用上冲夹具，利用粘合片从背面将通过切割粘合片上的半导体晶片得到的每个半导体芯片(半导体器件)向上推，其中超声波振动应用到上冲夹具上，从而不会破坏粘合片，以及拾取每个半导体芯片。