公开(公告)号：CN101312162B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810134102.7

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 东野朋子 ,  铃木一成 ,  宫崎忠一

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 一种在安装基底上堆叠多个半导体芯片的半导体器件的制造方法，其中增强半导体器件的各个芯片的粘附性能，由此增强半导体器件的可靠性。在安装基底上的半导体芯片安装区涂敷由主要具有热固性能的树脂形成的粘结材料。在将半导体芯片安装在粘结材料上之后，通过热处理固化粘结材料。当这些部分自然冷却至常温时，由于安装基底和半导体芯片之间α值的差，安装基底等以凸形翘曲。但通过引线键合连接焊盘P1和焊盘PA，此后由具有热塑性能的树脂形成的粘结材料层叠到半导体芯片。然后通过热压键合处理将间隔芯片键合到粘结材料。由此，由于在执行热压键合处理时产生的热量，安装基底和半导体芯片变得基本平坦，由此增强了半导体芯片和间隔芯片的粘着力。

公开(公告)号：CN100568473C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200610107888.4

申请日：2006-07-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 东野朋子 ,  宫崎忠一 ,  阿部由之

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/82 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 将具有以多级层叠芯片的结构的半导体器件制薄。在将聚焦点置于半导体晶片的半导体衬底的内部的情况下，通过照射激光束形成改性区。然后，在通过旋涂方法将液态的接合材料涂覆到半导体晶片的背表面后，使其干燥并形成固体状粘合层。然后，通过使上述改性区成为分割起点，将半导体晶片分割成每个半导体芯片。通过利用背表面的粘合层将该半导体芯片粘贴在其它半导体芯片的主表面上，制造具有以多级层叠芯片的结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN101290907A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810109589.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。

公开(公告)号：CN101297394A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680039739.7

申请日：2006-11-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 阿部由之 ,  宫崎忠一 ,  武藤英生 ,  东野朋子

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/36 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L22/32 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在通过隐形切割来分割半导体晶片1W的情况下，使切断区域CR的测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域PR的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的位置。由此，就能够在采用了隐形切割的半导体晶片的切断处理中降低或者防止切断形状缺陷。

公开(公告)号：CN101150118A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710138036.6

申请日：2007-08-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菊池卓 ,  金本光一 ,  宫崎忠一 ,  盐月敏弘

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明可以使具有下述结构的半导体装置的可靠性提高，即，将平面尺寸不同的多个半导体芯片经由具有接着性的绝缘膜，以堆叠的状态收纳在相同密封体内。所述半导体装置1A具有如下结构，即，将平面尺寸不同的多个半导体芯片2M1、2M2、2C介隔以DAF5a～5c，以堆叠的状态收纳在相同密封体4内，且于所述半导体装置1A中，使形成有控制电路的最上方半导体芯片2C的背面DAF5c的厚度，大于形成有存储电路的下层半导体芯片2M1、2M2的背面DAF5a、DAF5b各自的厚度。由此，可减少用以连接最上方的半导体芯片2C和配线基板3的接合线与下层半导体芯片2M2的主面角部的接触不良情况。

公开(公告)号：CN101002307A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200480043488.0

申请日：2004-07-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 在使用第一研磨材料(例如，抛光细粉的离子尺寸从#320至#360)对半导体晶片的背表面执行粗研磨，并且将半导体晶片的厚度制成例如小于140μm，小于120μm或小于100μm之后，使用第三研磨材料(例如，抛光细粉的微粒尺寸从#3000至#100000)对半导体晶片的背表面执行精细研磨，半导体晶片的厚度例如变成小于100μm，小于80μm或小于60μm，并且在半导体晶片的背表面上形成厚度小于0.5μm，小于0.3μm或小于0.1μm的第二破碎层。从而，在没有减小芯片的管芯强度下，同时防止污染杂质从半导体晶片的背表面的渗入，并且还防止污染杂质对半导体晶片的电路形成表面的扩散，而且防止半导体晶片的不良特性。

公开(公告)号：CN1700424A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510066600.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 植松俊英 ,  宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  木村稔

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 提高了薄半导体器件的可靠性。将具有环粘贴在其外围的胶带粘贴到半导体晶片的主表面，并在这种状态下，磨削和抛光半导体晶片的背表面以使晶片变薄。其后，在其中有环的胶带粘贴在晶片主表面并没有被剥离的状态下，将半导体晶片搬运到切割设备，并且从半导体晶片的背表面侧进行切割，以将晶片分割成单个半导体芯片。根据本方法，有利于通过后表面处理使半导体晶片变薄的操作。此外，因为在从后表面处理转移到切割工序的时候不需要替换胶带，所以能简化制造过程。

公开(公告)号：CN100414703C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200410037993.6

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 东野朋子 ,  铃木一成 ,  宫崎忠一

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 一种在安装基底上堆叠多个半导体芯片的半导体器件，其中增强半导体器件的各个芯片的粘附性能，由此增强半导体器件的可靠性。在安装基底上的半导体芯片安装区涂敷由主要具有热固性能的树脂形成的粘结材料。在将半导体芯片安装在粘结材料上之后，通过热处理固化粘结材料。当这些部分自然地冷却至常温时，由于安装基底和半导体芯片之间的α值的差，安装基底等以凸形翘曲。但是，通过引线键合连接焊盘P1和焊盘PA，此后由具有热塑性能的树脂形成的粘结材料层叠到半导体芯片。然后，通过热压键合处理将间隔芯片键合到粘结材料。由此，由于在执行热压键合处理的时候产生的热量，安装基底和半导体芯片变得基本上平坦，由此增强了半导体芯片和间隔芯片的粘着力。

公开(公告)号：CN100407379C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510066600.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 植松俊英 ,  宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  木村稔

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/3043

Abstract: 提高了薄半导体器件的可靠性。将具有环粘贴在其外围的胶带粘贴到半导体晶片的主表面，并在这种状态下，磨削和抛光半导体晶片的背表面以使晶片变薄。其后，在其中有环的胶带粘贴在晶片主表面并没有被剥离的状态下，将半导体晶片搬运到切割设备，并且从半导体晶片的背表面侧进行切割，以将晶片分割成单个半导体芯片。根据本方法，有利于通过后表面处理使半导体晶片变薄的操作。此外，因为在从后表面处理转移到切割工序的时候不需要替换胶带，所以能简化制造过程。

公开(公告)号：CN100334706C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03803623.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 本间博 ,  小田岛均 ,  宫崎忠一 ,  和田隆 ,  大录范行 ,  三田彻

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

Abstract: 为了提高用于叠式闪存等的薄型半导体器件的可靠性和产量，半导体器件的制造如下所述：使用上冲夹具，利用粘合片从背面将通过切割粘合片上的半导体晶片得到的每个半导体芯片(半导体器件)向上推，其中超声波振动应用到上冲夹具上，从而不会破坏粘合片，以及拾取每个半导体芯片。