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公开(公告)号：CN1307700C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02816331.1
申请日：2002-05-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/13 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2223/6644 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/81143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/00012
Abstract: 此处公开的是一种半导体器件，它能够减小在多级放大单元末级的晶体管的输出端子处产生的寄生电感的变化。包括末级晶体管的半导体芯片的一边被置于与形成在布线衬底中的正方形凹陷的内壁相接触，以便半导体芯片被准确地定位和固定在凹陷的底部，晶体管的漏金属丝从而被固定。然后，其中芯片顶部上排列漏电极的芯片边沿被置于与更靠近漏键合焊点的凹陷内壁(一边)相接触。然后，尺寸与芯片尺寸相同的金属化层被形成在凹陷底部处，以便与凹陷的内壁(一边)相接触，然后，预定数量的熔融键合材料被提供在金属化层上。然后，键合材料回流，致使芯片的一边由于表面张力驱动的熔化的键合材料的自对准作用而被置于与内壁的一边相接触。
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公开(公告)号：CN100444340C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410088013.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H05K3/0052 , H01L21/481 , H01L2224/48227 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/302 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在根据本发明的分割方法中，用夹钳的下夹钳使由陶瓷形成的线路板强制向上(上摆)，从输送滑道伸出的伸出的线路板部分的一部分被压向一个支承体，从而在弯曲应力下进行第一分割。之后，将向上定位的夹钳向下旋转摆动(下摆)，以使上夹钳向下压所述伸出的线路板部分，从而在所述第一分割部分进行反向的分割，作为第二分割。由于第二分割允许张力作用于剩下的薄的未被分割的树脂部分，所述未被分割的树脂部分被分开。这样，就能够实现完全分割。通过单列分割和个体分割完成最终分割，从而形成每一个半导体器件。
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公开(公告)号：CN1612310A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410088013.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H05K3/0052 , H01L21/481 , H01L2224/48227 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/302 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在根据本发明的分割方法中，用夹钳的下夹钳使由陶瓷形成的线路板强制向上(上摆)，从输送滑道伸出的伸出的线路板部分的一部分被压向一个支承体，从而在弯曲应力下进行第一分割。之后，将向上定位的夹钳向下旋转摆动(下摆)，以使上夹钳向下压所述伸出的线路板部分，从而在所述第一分割部分进行反向的分割，作为第二分割。由于第二分割允许张力作用于剩下的薄的未被分割的树脂部分，所述未被分割的树脂部分被分开。这样，就能够实现完全分割。通过单列分割和个体分割完成最终分割，从而形成每一个半导体器件。
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公开(公告)号：CN1545727A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02816331.1
申请日：2002-05-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/13 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2223/6644 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/81143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/00012
Abstract: 此处公开的是一种半导体器件，它能够减小在多级放大单元末级的晶体管的输出端子处产生的寄生电感的变化。包括末级晶体管的半导体芯片的一边被置于与形成在布线衬底中的正方形凹陷的内壁相接触，以便半导体芯片被准确地定位和固定在凹陷的底部，晶体管的漏金属丝从而被固定。然后，其中芯片顶部上排列漏电极的芯片边沿被置于与更靠近漏键合焊点的凹陷内壁(一边)相接触。然后，尺寸与芯片尺寸相同的金属化层被形成在凹陷底部处，以便与凹陷的内壁(一边)相接触，然后，预定数量的熔融键合材料被提供在金属化层上。然后，键合材料回流，致使芯片的一边由于表面张力驱动的熔化的键合材料的自对准作用而被置于与内壁的一边相接触。
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