公开(公告)号：CN1855725A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066681.7

申请日：2006-04-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菅野雄介 ,  田中一雄 ,  丰岛俊辅 ,  户羽健夫

IPC: H03K19/0185 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03K19/018521 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/105 ,  H03K3/356113

Abstract: 本发明提供一种具有低成本、可在低电压下高速工作的I/O电路的半导体集成电路器件，在I/O电路中，当使I/O电压vcc(例如3.3V)降低到vcc_18(例如1.8V)时，引起速度变差的部分是电平转换单元、和用于驱动大型主缓冲器的前置缓冲器部分。着眼于这一情况，通过对升电平转换器(LUC)和前置缓冲器(PBF)的电路施加高电压(电压vcc)，来以低成本实现可在低电压下高速工作的I/O电路。

公开(公告)号：CN1901084A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610105982.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 户羽健夫 ,  田中一雄 ,  丰岛俊辅

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C5/147 ,  G11C7/1066 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明提供一种具有两种输入/输出电路的半导体集成电路，其以合理的配置实现了更高的速度和更高的封装密度。半导体集成电路具有工作在第一电源电压上的第一输入/输出电路、工作在低于第一电源电压的第二电源电压上的内部电路、以及工作在低于第一电源电压的第三电源电压上的第二输入/输出电路。在第一输入/输出电路的输出电路中，通过电平偏移器将对应于第二电源电压的信号幅度转换成对应于第一电源电压的信号幅度，并且驱动构成该输出电路的P沟道MOSFET和N沟道MOSFET。在第二输入/输出电路的输出电路中，通过电平偏移器以类似于上述的方式产生驱动信号来驱动第二和第三N沟道MOSFET，该第二和第三N沟道MOSFET用于产生具有对应于第三电源电压的信号幅度的输出信号。