公开(公告)号：CN101266981A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710185764.2

申请日：2007-12-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岛野裕树 ,  森下玄 ,  有本和民

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C5/063 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置。其中，由第1端口存取晶体管(ATA)和第2端口存取晶体管(ATB)、以及与这些存取晶体管公共结合的存储晶体管(DDST)构成一个存储单元。第1端口存取晶体管与该存储晶体管的第1电极(DNA)结合，第2端口存取晶体管与该存储晶体管的第3电极(DNB)结合。这些第1端口和第2端口存取晶体管分别在第1和第2端口字线选择时处于选择状态，将对应的存储晶体管的对应的第2和第3电极分别与第1和第2端口字线(BL2A、BL2B)结合。能够提供一种存储单元随着制造工艺的微细化而按比例缩小的双端口存储单元。

公开(公告)号：CN1965404B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580018332.1

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森下玄 ,  有本和民

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802

Abstract: 本发明的目的在于，获得可用MOS工艺制造的、且可实现稳定动作的半导体存储装置。存储晶体管中设有杂质扩散区、沟道形成区、电荷蓄积节点、栅极氧化膜和栅电极。栅电极连接在栅极线上，杂质扩散区连接在源极线上。存储晶体管通过在电荷蓄积节点中形成蓄积了空穴的状态和未蓄积空穴的状态，分别存储数据″1″和数据″0″。存取晶体管含有杂质扩散区、沟道形成区、栅极氧化膜和栅电极。杂质扩散区与位线连接。

公开(公告)号：CN101071629A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710102913.4

申请日：2007-05-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森下玄 ,  有本和民

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/4091 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C7/14 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4099 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  G11C2207/2281 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841

Abstract: 在“1”数据被存储到存储单元MC内的情况下，如读出工作完成，则位线BL被驱动至“H”电平(控制线驱动电位VBL)，位线/BL被驱动至“L”电平(基准电位)。如校验写工作开始，则充电线CL从“H”电平(电源电位VDD)被驱动至“L”电平(基准电位)。在暂时释放了空穴后的存储节点SN上，借助于来自源极线SL的GIDL电流，开始空穴的再积累，存储节点SN的电位向“H”电平上升(期间α)。如充电线CL从“L”电平被驱动至“H”电平，则存储节点SN的电位进一步上升(期间β)。

公开(公告)号：CN1965404A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018332.1

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森下玄 ,  有本和民

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802

Abstract: 本发明的目的在于，获得可用MOS工艺制造的、且可实现稳定动作的半导体存储装置。存储晶体管(STr)中设有杂质扩散区(22，24)、沟道形成区(23a)、电荷蓄积节点(23b)、栅极氧化膜(18)和栅电极(19)。栅电极(19)连接在栅极线(GL)上，杂质扩散区(24)连接在源极线(5L)上。存储晶体管(STr)通过在电荷蓄积节点(23b)中形成蓄积了空穴的状态和未蓄积空穴的状态，分别存储数据“1”和数据“0”。存取晶体管(ATr)含有杂质扩散区(20，22)、沟道形成区(21)、栅极氧化膜(16)和栅电极(17)。杂质扩散区(20)与位线(BL)连接。