公开(公告)号：CN101000797A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002243.9

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷崎弘晃 ,  辻高晴 ,  村井泰光 ,  日高秀人

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置，其中，对自旋注入型磁性存储器单元(MC)，与字线(WC)平行排列源极线(SL)，以多个位单位来执行数据的写入/读出。写入时，设定成以规定时序使源极线电位变化，在多个选择存储器单元共同连接的源极线上中，在动作时序的各阶段，仅单方向流过电流。作为该数据写入时序，可采取对应于写入数据、依次在存储器单元中流过电流的方法，和如下方式，即在写入前将存储器单元的阻抗状态设定为规定的初始阻抗状态之后，对应于写入数据使初始阻抗状态变化。可实现在磁性存储器中不使存储器单元布局面积增大而高速写入。

公开(公告)号：CN101593551A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200810181610.0

申请日：2008-11-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 冈山昌太 ,  村井泰光

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693

Abstract: 提供一种实现高速数据读取并且减少用于激活字线的驱动电路的区域的半导体器件。通过经过具有低阻抗并且在多个点耦合到字线的共用字线的信号发送，有可能高速读取数据。另外，由于提供共用字线为多个存储器块所共用，所以可以提供字线驱动器为存储器块所共用。另外，通过设置用于保持共用字线的活跃状态的与子数字线对应的锁存器电路，有可能经过共用字线在数据写入过程中发送行选择信号并且由此减少金属布线层。

公开(公告)号：CN101483176A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910000112.6

申请日：2009-01-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷崎弘晃 ,  上野修一 ,  村井泰光 ,  辻高晴

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁记录装置，即便使具有非对称形状的记录层与局部孔这两者留有充分的间隔而形成在带状配线上，也能够抑制磁记录装置的尺寸增加。本发明的磁记录装置(MRAM)具有带状配线LS、局部孔LV、及磁记录元件(TMR元件)101。TMR元件101具有固定层11与记录层13。记录层13的俯视形状相对于记录层13的易磁化轴方向S为非对称，相对于与易磁化轴垂直的对称轴L为对称。靠近记录层13的面积中心的这一侧的、记录层13的轮廓部s1，面向局部孔LV形成侧。