公开(公告)号：CN1976032B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610162907.3

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。

公开(公告)号：CN1976032A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610162907.3

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。

公开(公告)号：CN101685818A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910205258.4

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。