公开(公告)号：CN1773726A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510116384.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 桧谷光春 ,  长泽俊夫 ,  田村晃洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1083 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13091 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。

公开(公告)号：CN100514674C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510116384.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 桧谷光春 ,  长泽俊夫 ,  田村晃洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1083 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13091 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。