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公开(公告)号：CN1773726A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510116384.4
申请日：2005-10-21
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L27/0727 , H01L29/086 , H01L29/1083 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13091 , H02M3/1588 , Y02B70/1466 , H01L2924/00
Abstract: 一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。
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公开(公告)号：CN1691480A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510065226.0
申请日：2005-04-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H02M3/1588 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466
Abstract: 开关式电源装置及其电源驱动模块，可产生小的功率损耗并对输入变化具有极好的响应特性，且可减小尺寸。通过PWM模式切换其中流过线圈的电流的功率晶体管，以转换降低或升高输入电压并输出降低/升高的电压，其电源驱动电路具有：尺寸小于低电位侧的功率晶体管的电流检测晶体管，两者都由相同的工艺形成并具有相同的特性，电流检测晶体管并联到低电位侧的功率晶体管，与功率晶体管相同的控制电压施加到电流检测晶体管的控制端；运算放大器电路，其中电流检测晶体管与电流检测电阻器之间的连接节点的电位施加到其倒相输入端，形成反馈环路以使运算放大器电路的一对输入端处于相同的电位；并且电流检测电阻器产生的信号作为电流检测信号而输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1691327A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510064738.5
申请日：2005-04-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H02M1/08 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753
Abstract: 本发明提供一种非绝缘DC－DC转换器，该转换器具有用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET。在该非绝缘DC－DC转换器中，用于高端开关的功率MOSFET、用于低端开关的功率MOSFET、分别控制这些功率MOSFET的操作的驱动电路、和与用于低端开关的功率MOSFET并联连接的肖特基势垒二极管，分别形成在不同的半导体芯片中。这四个半导体芯片存储在一个管壳中。这些半导体芯片安装在同一芯片焊盘上方。布置这些半导体芯片使得它们彼此接近。
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公开(公告)号：CN101572483A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910140937.8
申请日：2005-01-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路，即使当电源电压VDD为低电压时，其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入电感器的开关式电源中，开关元件响应PWM信号执行开关操作，并通过与电感器串联提供的电容器形成输出电压，在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路，升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压，源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接，使得在MOSFET呈OFF状态时，在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号：CN100514674C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510116384.4
申请日：2005-10-21
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L27/0727 , H01L29/086 , H01L29/1083 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13091 , H02M3/1588 , Y02B70/1466 , H01L2924/00
Abstract: 一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。
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公开(公告)号：CN1914787A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003514.1
申请日：2005-01-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路，即使当电源电压VDD为低电压时，其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入感应器的开关式电源中，开关元件响应PWM信号执行开关操作，并通过与感应器串联提供的电容器形成输出电压，在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路，升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压，源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接，使得在MOSFET呈OFF状态时，在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号：CN100521197C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510064738.5
申请日：2005-04-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H02M1/08 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753
Abstract: 本发明提供一种非绝缘DC-DC转换器，该转换器具有用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET。在该非绝缘DC-DC转换器中，用于高端开关的功率MOSFET、用于低端开关的功率MOSFET、分别控制这些功率MOSFET的操作的驱动电路、和与用于低端开关的功率MOSFET并联连接的肖特基势垒二极管，分别形成在不同的半导体芯片中。这四个半导体芯片存储在一个管壳中。这些半导体芯片安装在同一芯片焊盘上方。布置这些半导体芯片使得它们彼此接近。
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