公开(公告)号：CN100573871C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610095751.1

申请日：2006-07-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子 ,  早水太一 ,  河野祐一

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10 ,  H01L2224/13

Abstract: 为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。

公开(公告)号：CN1893076A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095751.1

申请日：2006-07-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子 ,  早水太一 ,  河野祐一

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10 ,  H01L2224/13

Abstract: 为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。