公开(公告)号：CN101656229A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910169198.5

申请日：2006-07-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。

公开(公告)号：CN100559565C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200610100261.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。

公开(公告)号：CN1893076A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095751.1

申请日：2006-07-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子 ,  早水太一 ,  河野祐一

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10 ,  H01L2224/13

Abstract: 为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。

公开(公告)号：CN101047152A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710005262.7

申请日：2007-02-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 渡部浩三 ,  神永道台 ,  堀田胜彦

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/573 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供一种提高存储在半导体器件中的信息的安全性的技术。多层布线层在半导体衬底上形成。布线在那些多层布线层中的最上布线层上形成。在布线上，以下面的顺序形成氧化硅膜、有色薄膜和氧化硅膜，用作表面保护膜的氮化硅膜形成于其上。换句话说，本发明其特征在于有色薄膜在构成最上布线层的布线与用作表面保护膜的氮化硅膜之间形成。有色薄膜具有削弱可见光和特定波长范围内的激光的功能，并且由例如包含氧化钴的氧化硅膜形成。

公开(公告)号：CN100573871C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610095751.1

申请日：2006-07-04

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子 ,  早水太一 ,  河野祐一

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10 ,  H01L2224/13

Abstract: 为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。

公开(公告)号：CN1893020A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100261.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。