-
公开(公告)号:CN101000915B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200710003892.0
申请日:2007-01-10
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/743 , H01L23/585 , H01L27/1203 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在采用倒装片工艺等的安装中,能够稳定地将SOI结构的支持基板的电位固定并形成低电阻的基板接触部。其解决手段是:在形成晶体管(Tr)的晶体管形成区(TR)周围,与最上层布线(13)一起沿着芯片周边部形成连接SOI结构的支持基板(1)和最上层布线(13)的多个导电层和多个布线层。
-
公开(公告)号:CN101000915A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200710003892.0
申请日:2007-01-10
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/743 , H01L23/585 , H01L27/1203 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在采用倒装片工艺等的安装中,能够稳定地将SOI结构的支持基板的电位固定并形成低电阻的基板接触部。其解决手段是:在形成晶体管(Tr)的晶体管形成区(TR)周围,与最上层布线(13)一起沿着芯片周边部形成连接SOI结构的支持基板(1)和最上层布线(13)的多个导电层和多个布线层。
-