公开(公告)号：CN101047152A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710005262.7

申请日：2007-02-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 渡部浩三 ,  神永道台 ,  堀田胜彦

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/573 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供一种提高存储在半导体器件中的信息的安全性的技术。多层布线层在半导体衬底上形成。布线在那些多层布线层中的最上布线层上形成。在布线上，以下面的顺序形成氧化硅膜、有色薄膜和氧化硅膜，用作表面保护膜的氮化硅膜形成于其上。换句话说，本发明其特征在于有色薄膜在构成最上布线层的布线与用作表面保护膜的氮化硅膜之间形成。有色薄膜具有削弱可见光和特定波长范围内的激光的功能，并且由例如包含氧化钴的氧化硅膜形成。