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公开(公告)号：CN101043032A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710005263.1
申请日：2007-02-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明为实现半导体器件的小型化，在第一绝缘膜上，形成岛状半导体层以及包围半导体层的第二绝缘膜，并且布置由导电膜制成的电阻元件(例如，多晶硅电阻元件)使得叠盖平面内的半导体层的上表面。
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