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公开(公告)号:CN101320678A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200810135737.9
申请日:2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法,其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分,合并了向上推动切割带的三个块,抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块,在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外,在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片,首先,同时向上推动三个块,然后,进一步向上推动中间块和内部块,最后,进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号:CN100495650C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200410079704.9
申请日:2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法,其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分,合并了向上推动切割带的三个块,抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块,在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外,在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片,首先,同时向上推动三个块,然后,进一步向上推动中间块和内部块,最后,进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号:CN100407404C
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200410103430.2
申请日:2004-12-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/82 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/30625 , H01L21/314 , H01L21/31654 , H01L21/31675 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术,包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时,将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面,然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带,将切割带粘附到半导体晶片的背表面,而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片,以及借助于切割带按压芯片的背表面,由此从切割带释放芯片。
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公开(公告)号:CN1638095A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410103430.2
申请日:2004-12-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/82 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/30625 , H01L21/314 , H01L21/31654 , H01L21/31675 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术,包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时,将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面,然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带,将切割带粘附到半导体晶片的背表面,而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片,以及借助于切割带按压芯片的背表面,由此从切割带释放芯片。
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公开(公告)号:CN101320678B
公开(公告)日:2010-04-21
申请号:CN200810135737.9
申请日:2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法,其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分,合并了向上推动切割带的三个块,抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块,在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外,在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片,首先,同时向上推动三个块,然后,进一步向上推动中间块和内部块,最后,进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号:CN101290907A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200810109589.3
申请日:2004-12-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/78 , H01L21/316 , H01L21/68
Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术,包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时,将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面,然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带,将切割带粘附到半导体晶片的背表面,而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片,以及借助于切割带按压芯片的背表面,由此从切割带释放芯片。
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公开(公告)号:CN1599035A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410079704.9
申请日:2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法,其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分,合并了向上推动切割带的三个块,抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块,在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外,在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片,首先,同时向上推动三个块,然后,进一步向上推动中间块和内部块,最后,进一步向上推动内部块。
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