公开(公告)号：CN104275640A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410330819.4

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野村季和 ,  饭泉健 ,  渡边和英 ,  小林洋一

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/34 ,  B24B49/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  G01B11/0633 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种膜厚测定装置，具有：将基板(W)支承成水平的基板台(87)；洗涤水供给部(90)，其将洗涤水供给到基板台(87)上的基板(W)整个表面；膜厚测定头(84)，其将光照射在基板台(87)上的基板(W)表面上的测定区域，生成来自测定区域的反射光的光谱，从该光谱确定基板(W)的膜厚；以及流体供给部(130)，其在光的光路上形成气体流，将该气体流施加到测定区域。采用本发明的膜厚测定装置及膜厚测定方法，可提高膜厚的测定精度。

公开(公告)号：CN203305047U

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201320224010.4

申请日：2013-04-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小滨达也 ,  小畠严贵 ,  野村季和 ,  木村宪雄 ,  川岛清隆

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B57/02

Abstract: 本实用新型提供的研磨装置，能够均匀且高效地对研磨对象物的被研磨面供给研磨液。研磨装置具备：具有研磨面（52）的研磨工作台（22）；保持半导体晶片（W）并将半导体晶片（W）按压于研磨面（52）的顶环（24）。另外，研磨装置还具备：对研磨面（52）供给研磨液（Q）的研磨液供给口（57）；以及移动机构，该移动机构使研磨液供给口（57）移动，以使研磨液（Q）因半导体晶片（W）与研磨面（52）之间的相对移动而均匀地遍布半导体晶片（W）的整个面。

公开(公告)号：CN300961323D

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200830118814.0

申请日：2008-04-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Designer： 野村季和 ,  平安名常仁

Abstract: 俯视图与仰视图对称、左视图逆时针旋转90度与仰视图相同、右视图顺时针旋转90度