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公开(公告)号：CN114464734B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210133874.9
申请日：2022-02-14
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。
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公开(公告)号：CN110246641B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910366427.6
申请日：2019-05-05
Abstract: 本发明公开了一种制备良好分散性的降解透明质酸修饰的氧化铁纳米粒子的方法。在生物医学领域的应用要求氧化铁纳米粒子在水中稳定分散，电泳粒度要在40nm以下。虽然透明质酸(Hyalurex Acid,HA)修饰的氧化铁纳米粒子具有潜在的生物医学应用，但HA直接修饰的氧化铁纳米粒子团聚严重，电泳粒度大，不能用于生物医学应用中，本发明是先将HA降解为26K左右的小分子，其保留HA的基本官能团，降解后的透明质酸(oHA)修饰的氧化铁纳米粒子在水中分散性好，电泳力度小于40nm，适合作为体内及体外的生物学应用。
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公开(公告)号：CN113917784A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111181021.4
申请日：2021-10-11
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种基于套刻技术的顶栅结构全固态记忆晶体管多变量掩膜版；所述一种掩膜版，包括3块子掩膜版，具体为沟道掩膜版、源漏电极掩膜版以及栅极掩膜版；其中，沟道掩膜版包括8种不同的器件尺寸，每种器件尺寸对应2种沟道区域和源漏电极区域接触方式，构成16种可形成对比的器件。本发明掩膜版采用设备简单、易于控制、成膜效果好的磁控溅射法制备所需薄膜，制膜工艺兼容CMOS工艺，利于器件批量生产。本发明各部分材料为全固态材料，可优化有机材料和液态材料固有的降解和难封装问题。
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公开(公告)号：CN112951988A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110128328.1
申请日：2021-01-29
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，采用磁控溅射法，以Pt金属为靶材，沉积100nm厚度的Pt为底电极。采用电子束蒸发法沉积5nm厚度的Ti或Al，借助超薄AAO模板制备出了高度有序的Ti或Al纳米岛阵列。Ti纳米岛平均直径为57.7nm，岛之间中心间距平均距离为100.2nm。再用磁控溅射法，以WOy(y＝2.7～2.9)为靶材，沉积30nm厚度的WOx(x＝2.2～2.5)制得WOx/Ti NI/Pt和WOx/Al NI/Pt器件。本发明提供了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，无Forming(电铸)过程且阻变电压散布性低，相比光刻技术而言，成本更低。
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公开(公告)号：CN114464734A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210133874.9
申请日：2022-02-14
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化铈基忆阻器阻变参数散布性的方法，属于忆阻器件及应用技术领域。所述方法包括以下步骤：将氧化铈基忆阻器件在空气环境中，以370～430℃的温度快速退火处理1.5～5min。所述氧化铈基忆阻器件为TiN/HfO2/CeOx/TiN/SiO2/Si器件或TiN/CeOx/TiN/SiO2/Si器件。本发明通过对氧化铈基忆阻器进行快速退火处理，使阻变参数散布性低。通过快速退火减少氧化铈阻变层中的氧空位浓度和增大氧化铈的晶粒尺寸，减小晶界，促进氧化铈阻变层中的重新再分布和聚集在变小的晶界处，减少氧空位通道的形成路径，获得VSET和VRESET，RLRS和RHRS散布性更小的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110231470A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910504903.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种控制氧化铁纳米粒子在动物脑内分布及其荧光检测方法。本发明的目的是提供一种将链霉亲和素(SA)修饰的氧化铁纳米粒子分布于事先注入生物素的动物脑细胞膜表面的方法。将荧光素FITC结合的SA修饰在氧化铁纳米粒子表面标记氧化铁纳米粒子使其在相应激发光下呈绿色荧光，用AVV-DIO-ChR2-mCherry特异性转染多巴胺能神经元使其在相应激发光下呈红色荧光。利用激光共聚焦显微镜的明场像及荧光成像观察到氧化铁纳米粒子在细胞膜上的分布。本发明通过简单地向黑质提供微量生物素的方法，使SA修饰的纳米粒子附着在细胞膜上的量明显增加，并用荧光成像方法检测了纳米粒子在体内附着于细胞膜上。
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公开(公告)号：CN117819608A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311839260.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大粒径氧化铁纳米粒子的方法，在生物医学领域的生物分离应用中要求氧化铁纳米粒子的饱和磁化强度要足够大，这就要求磁性氧化铁纳米粒子的粒度要大。目前大粒径氧化铁纳米粒子的合成是一个难点。本发明通过分批加料的方法，将纳米粒子的成核与生长分离，制备出比一次性加料更大粒径的纳米粒子，获得的水分散性氧化铁纳米粒子饱和磁化强度高，有望用于生物分离。本发明提出的将成核与晶体生长分离的方法也可以用于其它纳米粒子的合成。
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公开(公告)号：CN116390637A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310381850.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种免电铸的氧化铪基扩散型忆阻器。因目前扩散型忆阻器大都需要一个大的电铸电压激活其阈值转变行为，但电铸会造成较多的金属阳离子迁移到阻变层，这增加器件参数的散布性，并会大幅降低器件的耐受性，电铸也影响扩散型忆阻器在大型电路中的应用。故本发明采用内嵌银纳米岛结合一定的厚度的氧化铪介质层，使得扩散型器件免除电铸的需求，器件的耐受性能得到了大幅提高，并降低了器件的阈值电压，这有利于降低扩散型忆阻器实际使用过程中电路的能耗，本发明有助于促进扩散型忆阻器的应用。
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公开(公告)号：CN110201179A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910366440.1
申请日：2019-05-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种能够分布于脑内细胞间隙的硫酸软骨素修饰的氧化铁纳米粒子的制备方法。因生物医学领域的一些特殊应用要求氧化铁纳米粒子能够分布于细胞膜附近，故本发明采用物理方法将硫酸软骨素修饰于氧化铁纳米粒子表面后注入大鼠脑内，利用硫酸软骨素属于细胞外基质的功能及特点，再加之合适的电泳粒度及zeta电位，使得修饰了硫酸软骨素的氧化铁纳米粒子极少被脑内细胞内吞，且大部分呈分散状填充在细胞间隙中。
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公开(公告)号：CN101671559B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910114408.0
申请日：2009-09-19
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法。(1)按M2SiO4化学计量比称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl2·6H2O，其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多种，将它们充分混合后加入化学计量比所需的(C2H5O)4Si再次充分混合得到凝胶；(2)将凝胶移至550℃的马弗炉中，30min后取出，研磨后将其在还原气氛炉内800-870℃灼烧1h，在还原气氛中降温到200℃取出，稍加研磨后经过去离子水洗涤、过滤、烘干，得到高纯M2SiO4基质荧光粉。本发明合成温度低(870℃以下)、时间短(1h)；工艺流程简单，易于操作，对合成设备要求低，有利于工业化。
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