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公开(公告)号：CN100524536C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480016976.2
申请日：2004-06-15
Applicant: 爱德万测试株式会社
CPC classification number: G01R31/31928 , G11C29/56 , G11C29/56004 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明提供半导体测试装置，此装置具有第1波形生成单元，生成与各个半导体元件共同的共同信息相对应的共同图案波形；第2波形生成单元，生成与各个半导体元件对应，与个别准备的多数个别信息对应的个别图案波形；波形切换单元，有选择地进行向各个半导体元件共同输入第1波形生成单元所生成的上述共同图案波形的操作、与个别输入各个第2波形生成单元所生成的上述个别图案波形的操作。
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公开(公告)号：CN100524538C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580009197.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 爱德万测试株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/56004 , G01R31/31917 , G11C29/56 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明所属的测试装置具备：图样产生器，其产生一种供给至多个被测试存储器中的地址信号和数据信号以及产生一种期待值信号；多个逻辑比较器，其在多个被测试存储器所输出的输出信号和该期待值信号不一致时产生一种失效数据；多个失效存储器，其储存着多个逻辑比较器所产生的失效数据；多个存储器控制器，其依据多个失效存储器所储存的失效数据以产生被测试存储器的不良地址显示用的不良地址资讯；多个通用缓冲存储器，其储存着多个存储器控制器所产生的不良地址资讯；以及多个不良资讯写入部，其将不良资讯同时写入至多个被测试装置的多个通用缓冲存储器中所储存的不良地址资讯所示的不良地址中。
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公开(公告)号：CN1934654A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009197.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 爱德万测试株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/56004 , G01R31/31917 , G11C29/56 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明所属的测试装置具备：图样产生器，其产生一种供给至多个被测试存储器中的位址信号和数据信号以及产生一种期待值信号；多个逻辑比较器，其在多个被测试存储器所输出的输出信号和该期待值信号不一致时产生一种失效数据；多个失效存储器，其储存着多个逻辑比较器所产生的失效数据；多个存储器控制器，其依据多个失效存储器所储存的失效数据以产生被测试存储器的不良位址显示用的不良位址资讯；多个通用缓冲存储器，其储存着多个存储器控制器所产生的不良位址资讯；以及多个不良资讯写入部，其将不良资讯同时写入至多个被测试装置的多个通用缓冲存储器中所储存的不良位址资讯所示的不良位址中。
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公开(公告)号：CN1809896A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480016976.2
申请日：2004-06-15
Applicant: 爱德万测试株式会社
CPC classification number: G01R31/31928 , G11C29/56 , G11C29/56004 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明提供半导体测试装置，此装置具有第1波形生成单元，生成与各个多数的半导体元件共通的共通资讯相对应的共通图案波形；第2波形生成单元，生成与各个多数的半导体元件对应，与个别准备的多数个别资讯对应的个别图案波形；波形切换单元，有选择地进行向各个多数的半导体元件共通输入第1波形生成单元所生成的上述共通图案波形的操作、与个别输入各个多数的第2波形生成单元所生成的上述个别图案波形的操作。
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