双侧冷却式电源模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107919349B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN201710043130.7

    申请日:2017-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种双侧冷却式电源模块及其制造方法。双侧冷却式电源模块包括设置在上基板和下基板之间的一对半导体芯片。双侧冷却式电源模块包括:输出端子引线,其配置为设置在上基板的下表面上并且每个与一对半导体芯片分别连接;正端子引线,其配置为设置在下基板的上表面的一侧以与从一对半导体芯片中选择的任一个半导体芯片连接;以及负端子引线,其配置为设置在下基板的上表面的另一侧以与一对半导体芯片的另一个半导体芯片连接。

    半导体子组件和半导体功率模块

    公开(公告)号:CN111081667B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN201910987632.4

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及半导体子组件和半导体功率模块,其能够具有减小的芯片厚度和减小的热阻。该半导体子组件包括单个或多个半导体芯片,所述半导体芯片具有形成在其下表面上的第一电极,形成在其上表面上的第二电极以及形成在其上表面的一个端部处的多个芯片侧信号电极焊垫。半导体芯片嵌入在嵌入式结构中,并且多个扩展信号电极焊垫相应地连接至芯片侧信号电极焊垫。当在平面上观察时,扩展信号电极焊垫以大于芯片侧信号电极焊垫的尺寸形成在嵌入式基板上。

    半导体子组件和半导体功率模块

    公开(公告)号:CN111081667A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201910987632.4

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及半导体子组件和半导体功率模块,其能够具有减小的芯片厚度和减小的热阻。该半导体子组件包括单个或多个半导体芯片,所述半导体芯片具有形成在其下表面上的第一电极,形成在其上表面上的第二电极以及形成在其上表面的一个端部处的多个芯片侧信号电极焊垫。半导体芯片嵌入在嵌入式结构中,并且多个扩展信号电极焊垫相应地连接至芯片侧信号电极焊垫。当在平面上观察时,扩展信号电极焊垫以大于芯片侧信号电极焊垫的尺寸形成在嵌入式基板上。

Patent Agency Ranking