公开(公告)号：CN102412505B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN106486888A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610718812.9

申请日：2016-08-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 深谷一夫

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。

公开(公告)号：CN101820135B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010124930.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器以及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN102412505A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。