公开(公告)号：CN101820135B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010124930.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器以及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN102412505A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN102412505B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110389276.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田健太郎 ,  远藤健司 ,  深谷一夫 ,  奥田哲朗 ,  小林正英

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。

公开(公告)号：CN105896310A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510204789.7

申请日：2015-04-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小林隆二 ,  小林正英

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/22 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3407

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。改善半导体激光器的特性。在具有n型包层、有源层以及p型包层的半导体激光器中，提供电流阻挡层。例如，电流阻挡层部分地布置在p型包层和有源层之间，以及在p型包层与有源层的重叠区中。因此，在p型包层与有源层的重叠区的电流狭窄区中，布置电流阻挡层，由此抑制注入有源层的一部分中的电流。这致使形成饱和吸收区，其致使半导体激光器的光输出的强度差异。这可实现自脉动。