公开(公告)号：CN101894816A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010176519.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

公开(公告)号：CN108878371A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810692239.8

申请日：2014-03-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  出口善宣 ,  竹井文一 ,  长谷部昭男 ,  槇平尚宏 ,  久保光之

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/544 ,  H01L21/683 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。在逻辑芯片上安装存储芯片时，对包括在逻辑芯片的背面上形成的识别标志的识别范围进行成像并对识别范围的图样进行识别，并根据识别结果，将逻辑芯片的多个突起和所述存储芯片的多个突起电极进行位置对准，以将所述存储芯片安装到逻辑芯片上。此时，识别范围的图样与多个突起的阵列图样的任何部分都不相同，结果，可对识别范围的图样中的识别标志确实进行识别，从而可提高将逻辑芯片的多个突起和所述存储芯片的多个突起电极进行位置对准的精度。

公开(公告)号：CN101894816B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201010176519.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

公开(公告)号：CN106024744A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610424138.3

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

公开(公告)号：CN104064482A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410106343.6

申请日：2014-03-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  出口善宣 ,  竹井文一 ,  长谷部昭男 ,  槇平尚宏 ,  久保光之

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种可提高半导体器件的可装配性的技术。在逻辑芯片1上安装存储芯片时，对包括在逻辑芯片的背面上形成的识别标志的识别范围进行成像并对识别范围的图样进行识别，并根据识别结果，将逻辑芯片的多个突起和所述存储芯片的多个突起电极进行位置对准，以将所述存储芯片安装到逻辑芯片上。此时，识别范围的图样与多个突起的阵列图样的任何部分都不相同，结果，可对识别范围的图样中的识别标志确实进行识别，从而可提高将逻辑芯片的多个突起和所述存储芯片的多个突起电极进行位置对准的精度。

公开(公告)号：CN103943580A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410184793.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。