公开(公告)号：CN103295916B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN103295916A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN102150260A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980132004.2

申请日：2009-07-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宝藏寺裕之 ,  守田俊章 ,  保田雄亮 ,  依田智子 ,  白井优之

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/165 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0218 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/0919 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1316 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种同时实现电磁波屏蔽性和搭载电子部件时的加热工序中的可靠性的半导体器件。在半导体器件中，具有搭载在电路基板1主面上的高频率安装部件5、6，将安装部件5、6与电路基板1主面的布线图案4进行电连接，形成绝缘性树脂的封固体7使其密封安装部件5、6，将金属粒子涂布在封固体7的表面，将涂布后的金属粒子烧结，由此形成电磁波屏蔽层2，将电磁波屏蔽层2与电路基板1的接地图案3进行电连接。

公开(公告)号：CN107134415A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710511943.4

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。