公开(公告)号：CN101930943B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010250697.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿部由之 ,  宫崎忠一 ,  武藤英生 ,  东野朋子

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L22/32 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在通过隐形切割来分割半导体晶片1W的情况下，使切断区域CR的测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域PR的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的位置。由此，就能够在采用了隐形切割的半导体晶片的切断处理中降低或者防止切断形状缺陷。

公开(公告)号：CN101930943A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010250697.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阿部由之 ,  宫崎忠一 ,  武藤英生 ,  东野朋子

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L22/32 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在通过隐形切割来分割半导体晶片1W的情况下，使切断区域CR的测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域PR的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的位置。由此，就能够在采用了隐形切割的半导体晶片的切断处理中降低或者防止切断形状缺陷。

公开(公告)号：CN101290907B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810109589.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。