公开(公告)号：CN103871993A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410104152.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  木村稔 ,  小田切政雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。

公开(公告)号：CN103871993B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410104152.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  木村稔 ,  小田切政雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。

公开(公告)号：CN101290907B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810109589.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 宫崎忠一 ,  阿部由之 ,  植松俊英 ,  木村稔 ,  铃木一成 ,  小田切政雄 ,  须贺秀幸 ,  高田学

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。

公开(公告)号：CN101789392B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010002041.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  木村稔 ,  小田切政雄

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。