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公开(公告)号：CN103580606B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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公开(公告)号：CN104124920A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410166667.9
申请日：2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03B2201/0266
Abstract: 一种半导体装置，包括：与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子，其中压电振动器设置于外部；设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器；把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻；设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件；与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件；设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件；以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。
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公开(公告)号：CN102545782A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110419785.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/32 , H02H7/20 , H03B5/364 , H03B2200/0088 , H03B2202/03 , H03B2202/082 , H03B2202/084 , H05K1/181 , H05K2201/10075
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN109617529B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811529191.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN105871335A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610184601.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
CPC classification number: H03B5/32 , H02H7/20 , H03B5/364 , H03B2200/0088 , H03B2202/03 , H03B2202/082 , H03B2202/084 , H05K1/181 , H05K2201/10075
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105871335B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610184601.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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公开(公告)号：CN104124920B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201410166667.9
申请日：2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03B2201/0266
Abstract: 一种半导体装置，包括：与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子，其中压电振动器设置于外部；设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器；把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻；设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件；与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件；设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件；以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。
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公开(公告)号：CN105305999A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510332480.6
申请日：2015-06-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03B5/36 , G01R31/2824 , H03B5/366 , H03B2200/005 , H03B2201/0266 , H03L7/00
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法。一种具有与晶体振荡器组合执行振荡的功能的半导体集成电路器件包含：第一阻抗元件，包含与晶体振荡器的一个端子耦合的第一外部端子、与晶体振荡器的另一端子耦合的第二外部端子和当执行振荡时与第一和第二外部端子耦合的第一和第二端子；与反馈阻抗元件的第一端子耦合的第一可变电容电路；和用于设定第一可变电容电路的电容值的配置电路。测量信号被供给到反馈阻抗元件的第二端子，并且，作为其响应，基于在第一端子上产生的观察信号关于测量信号的延迟时间由配置电路设定第一可变电容电路的电容值。
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公开(公告)号：CN103580606A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310332545.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/36 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0046 , H03B2200/005 , H03B2200/0082 , H03B2200/0088 , H03B2200/0094
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
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公开(公告)号：CN109617529A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811529191.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
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